 Muhwi
28.08.2003 20:50:06 | |
|---|
Sattuuko joku tietämään mitä eroa tuolla MOSFETillä ja "normaalilla" transistorilla on? It wasn't me, it was the Other Guy. |
 Mon
28.08.2003 21:38:53 (muokattu 28.08.2003 21:39:03) | |
|---|
En tiedä, mutta esittäisin minäkin tähän aihepiiriin liittyvän kysymyksen... Että mitäs eroa on Germanium-transistorilla ja ''tavallisella''? Vai onko germanium juuri se ''tavallinen? |
 Tubeman
29.08.2003 17:18:14 | |
|---|
Sattuuko joku tietämään mitä eroa tuolla MOSFETillä ja "normaalilla" transistorilla on?
Toimintatapa,MosFet =Metal-Oxide-Silicon-Field-Effect-Transistor , näitäkin on erilaisia sitten olemassa,suosittelen
kirjastossa käyntiä,esim Vesa Volotisen "Analogia elektroniikka" on hyvä opus tutustua näihin ja niiden eroihin.
Lyhyt esimerkki:Tavalliseen transistoriin kun antaa täyden ohjausksen kannalle,on silti Kollektorin ja Emitterin välillä
vastusta,mutta Fetin sisäinen joillain tyypeilla muistuttaa
rautanaulaa,eli häviötehoja ei synny joka taas ilmenee kuumenemisena,tämä siis vain yksi käytännön esimerkki..
Jatkakoon joku tästä.. Paljon olis kolvattavaa,vaan ei aikaa.. |
Tubeman
29.08.2003 17:24:27 | |
|---|
En tiedä, mutta esittäisin minäkin tähän aihepiiriin liittyvän kysymyksen... Että mitäs eroa on Germanium-transistorilla ja ''tavallisella''? Vai onko germanium juuri se ''tavallinen?
Germanium transistori on vanhanmallinen transistori,se on
valmistettu germaniumista,näissä oli ongelmana huono lämmönsieto,sekä suurtaajuus vahvistimissa radiopuolella
kohina.Näitä on käytössä vielä jossain vanhoissa vehkeissä.
Suuritehoisten vahvistimien tekeminen näillä oli aivan toivotonta..
Nykyiset transistorit (silicon) "pii-kivet" on edellämainittuihin
verrattuna todella kestäviä. Paljon olis kolvattavaa,vaan ei aikaa.. |
 Basismi
29.08.2003 23:23:55 | |
|---|
Lyhyt esimerkki:Tavalliseen transistoriin kun antaa täyden ohjausksen kannalle,on silti Kollektorin ja Emitterin välillä
vastusta,mutta Fetin sisäinen joillain tyypeilla muistuttaa
rautanaulaa,eli häviötehoja ei synny joka taas ilmenee kuumenemisena,tämä siis vain yksi käytännön esimerkki..
Tehohäviö ilmenee nimenomaan kuumenemisena...
FET on jännitevahvistin, Bipolaaritransistori taasen virtavahvistin.
Erityisesti MOS-FETissa on suuri sisääntuloimpedanssi ja sopii paremmin piensignaalivahvistukseen. Ei näitä enää muista... Women and rhythm section first. |
Tubeman
31.08.2003 12:48:10 | |
|---|
Tehohäviö ilmenee nimenomaan kuumenemisena...
FET on jännitevahvistin, Bipolaaritransistori taasen virtavahvistin.
Erityisesti MOS-FETissa on suuri sisääntuloimpedanssi ja sopii paremmin piensignaalivahvistukseen. Ei näitä enää muista...
Aloin tuossa miettiä sohvalla maatessa tuota FET'in rakennetta,se lienee jos en väärin muista,hilansa osalta
lähellä putkea,eli perustuu kenttä-emissioon,siitä tuo korkea sisääntulo impedanssi johtuu.Täytyy kaivaa opukset esille, ja verestää vanhoja,ihan mielenkiinnosta. Paljon olis kolvattavaa,vaan ei aikaa.. |
